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硅(Si)作为半导体行业第一代基础材料,其带隙窄,电子迁移率和击穿电场较低 ,在高频高功率器件方面,硅的应用受到诸多限制 。

碳化硅(SiC)材料具有禁带宽度大(Si的3倍)、绝缘击穿场强高(Si的7倍)、电子饱和漂移速率高 (Si的2倍)和热导率高(Si的3倍)等性质。

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SiC器件在高温、高压、高频、大功率电子器件领域有着不可替代的优势 ,弥补了传统🥔半导体材料器件在实际应用中的缺陷,正逐渐成为功率半导体的未来趋势 。

储能领域应用优势

APPLICATION ADVANTAGES


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减少尺寸

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改善能效

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🎷降低成本


应用场景

APPLICATION SCENARIOS


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新能源汽车

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光伏新能源

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PEC电源

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充电基础设施

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轨道交通

产业链优势

INDUSTRY CHAIN ADVANTAGE


晶圆稳定供应: 

已经与头部Fab厂签订晶圆协议,☎️产品流片到晶圆量产,可稳定供应,且具备成本优势。 

自主研发:

从SiC芯片到模组,自主研发。依靠强大产业链掌控力,可以完成全产业链共同协作。  

深度满足客户需求:

已经与多家下游客户签订合作协议。可提供客制化产品可迅速实现量产和规模营收。  


产品介绍

SiC 模组可根据不同场景,提供定制化产品和解决方案

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充电桩

耐压:1200V
持续电流:50A
开关频率:25KHz

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光伏逆变

耐压:1200V
持续电流:50A~500A
高温保护

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EV电机驱动

耐压:1200V
持续电流:500A~900A
🅾高温保护

SiC MOS

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SiC SBD

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SGT MOS

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