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  • 一天涨1500元!“工业维生素”行情火热,存储芯片也需要
    20/07
    炒股就看金麒麟分析师研报,权威,专业,及时,全面,助您挖掘潜力主题机会! 据央视财经,钼被称为“工业维生素”,广泛应用于钢铁冶金、高端装备、新能源等领域,我国钼矿储量全球第一。 今年上半年,国内钼市场行情持续走强。洛阳钼业中国区冶炼分公司经理介绍:“目前这一袋,是一吨的重量,7月14日的价格是33.2万元。13日的价格是33.05万元,一天涨了1500元。” 一吨一天上涨15
  • 又有A股公司,加码AI芯片!
    19/07
    国科微拟募资约50亿元加码AI芯片。国科微(300672)7月17日晚披露定增预案,拟向不超过35名(含本数,下同)特定投资者发行不超过6513.07万股股份,募集不超过50.61亿元。募资净额将投入新一代AI视觉处理芯片及解决方案研发与产业化项目(下称“视觉处理芯片项目”)、媒体交互AI芯片研发及产业化项目(下称“交互AI芯片项目”)、端侧AI芯片研发及产业化项目(下称“端侧AI芯片项目”)以及
  • 拟募资约50亿元!国科微加码AI芯片!
    19/07
    又有A股公司,加码AI芯片国科微(300672)7月17日晚披露定增预案,拟向不超过35名(含本数,下同)特定投资者发行不超过6513.07万股股份,募集不超过50.61亿元。募资净额将投入新一代AI视觉处理芯片及解决方案研发与产业化项目(下称“视觉处理芯片项目”)、媒体交互AI芯片研发及产业化项目(下称“交互AI芯片项目”)、端侧AI芯片研发及产业化项目(下称“端侧AI芯片项目”)以及补充流
  • 内存供给持续告急,Valve 工程师警示芯片短缺愈演愈烈
    19/07
    来源:环球网 【环球网科技综合报道】7月19日消息,据PC Gamer报道,Valve 公司硬件研发团队工程师接受媒体采访时表示,当前全球存储芯片供需失衡带来的内存危机仍在持续加剧,受人工智能产业算力需求拉动,内存相关产品价格或将维持上行态势,消费端硬件成本承压问题短期难以缓解。据介绍,参与 Steam Machine 游戏硬件研发的工程师亚赞・阿尔德海亚特、皮埃尔 - 卢普・格里菲斯在采访中分析
  • 三款芯片+万卡协同,云天励飞为国产AI推理算力探索新路径
    19/07
    随着AI应用加速落地,算力竞争的重心正从训练阶段的峰值性能,进一步转向推理阶段的系统效率。面对持续增长的Token生成需求,如何让计算、访存、互联和调度更好协同,正在成为大规模推理部署必须回答的问题。7月18日,在2026世界人工智能大会(WAIC)上,国内AI芯片企业云天励飞公布了未来两年多的AI推理芯片路线图。公司计划推出DeepVerse100P、DeepVerse100D和DeepVers
  • “警惕AI存储芯片市场泡沫风险”
    19/07
    约翰·邓普顿爵士数十年来目睹投资者们自欺欺人地认为历史不再适用于他们。他最常被引用的一句话是:“投资中最危险的几个字是:‘这次不一样’”,这句话经受住了它所警告的每一个泡沫的考验。如今,以他名字命名的富兰克林邓普顿公司的分析师们,正将这句话直接指向人工智能存储芯片市场。目标显而易见。截至2026年5月,美光科技和SK海力士的市值均已攀升至约1万亿美元,这几乎完全得益于人工智能训练和推理领域对高带宽
  • 大功率升压芯片:突破效率与稳定性的技术边界
    19/07
    大功率升压芯片:突破效率与稳定性的技术边界很多人以为大功率升压芯片的设计只需关注输出电压和电流的标称值,其实不然。真正的技术难点在于如何在高功率密度下实现效率与稳定性的双重优化。以某国际知名电动汽车品牌的电池管理系统为例,其采用的升压芯片需在-40℃至125℃的极端温度范围内,将48V电池电压升压至800V驱动电机,同时保持98%以上的转换效率。这一指标的达成,底层逻辑是拓扑结构与封装工艺的协同创
  • 人脑植入芯片就能与AI和解?大学校长当场反驳:前提就错了
    19/07
    (来源:上观新闻) 人与人工智能(AI)未来如何共存?在大咖云集的2026世界人工智能大会现场,这一问题引发了热烈讨论。 7月18日下午,2026世界人工智能大会科学智能开放论坛进入圆桌讨论环节后,主持人问:“未来,人能否通过在大脑植入芯片的方式,实现人与AI的和解?” 香港科技大学首席副校长郭毅可第一个提出不同意见:“这个问题的前提就有问题,只有对立的两方才会和解,人和AI应该是共生关
  • 功率开关芯片:动态损耗与热管理的底层博弈
    19/07
    动态损耗与热管理的底层博弈很多人以为功率开关芯片的效率提升仅依赖材料迭代,其实不然——在第三代半导体(如SiC、GaN)已实现商业化应用的当下,动态损耗的微观控制与热管理的宏观平衡,才是决定器件性能上限的关键变量。这种矛盾在高压、高频场景下尤为突出:当开关频率突破MHz级时,寄生电容的充放电损耗会呈指数级增长,而传统热沉设计的散热效率却因材料热导率物理极限陷入瓶颈。动态损耗的“隐形杀手”:寄生参数
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