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- / 【今日要闻】深度解析：半导体器件特性、功率挑战与高温设计策略
通过数据手册看三极管的参数： 上图为几种不同塑封NPN三极管的参数表，从第一个参数看起： hFE或者β：直流放大倍数。Ic：集电极电流，此处应该为集电极允许的最大电流IcM，超过此电流三极管可能因过流而损坏。VCBO：发射极开路时，集电极与基极的反向击穿电压。晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压称为极间反向击穿电压，超过该值，三极管会发生击穿。符号中的“O”是OPEN，即开路的意思，VCBO💰开云网址即为发射极开路，VCEO即为基极开路时，集电极与发射极的反向击。
如何应对芯片故障功率的挑战本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）编译自Sem🈺开云网址iconductor Engineering 虽然到目前为止还不是重点，但可以在设计中进行早期读数，以更好地了解故障功率的影响。俗话说“不浪费，不匮乏”，一般来说，这是一条很好的人生建议。但在芯片设计领域，浪费功率是物理事实。故障功率（由于门和/或线路延迟而消耗的功率）可占数据中心服务器等高级应用中功率预算的 40%。即使在功率较低的电路中，例如边缘或物联网设备中的电路，故障仍会对功率预算造成重。
功率IC是半导体芯片中模拟芯片的典型代表，可实现功率（电压、电流、频率） 的变换控制与调节，为后续电子元器件提供相应的功率供应和管控要求。公司栅极驱 动IC主要为电机驱动IC，其能够将电机控制器/MCU输出的低压控制信号转换🌵成驱 动功率器件的高压驱动信号，来驱动功率器件进行开关动作，从而驱动电机工作，集 成了高侧和低侧驱动器，可降低开关损耗，适应嘈杂的环境并提高系统效率。公司的 驱动IC产品包含单相半桥、全桥、三相全桥产品系列，可满足多种场景的应用要求。公司的ASIC芯片系列。
其中一部分能量耗散与原子的运动有关,大部分以动能形式转化🥔为热能,小部分以晶体缺陷的形式储存,这些能量耗散对应于塑性变形耗散(G);而另一部分与原子的相对位置有关,通过微观结构演变的形式耗散,对应于功率耗散效率(J)[17]。P、G和J之间的关系可以表示为: (17) 可以用应变速率敏感指数m来表示G和J两部分之间的能量分配比例。m的计算公式可表达为: (18) 在热变形过程中,微结构演变所引起的能量耗散占总消耗能量的比值可以用无量纲常(cháng)数(shù)——功(gōng)率(lǜ)耗(hào)散(sàn)系(xì)数(shù)(η)来(lái)表(biǎo)示(shì)。功(gōng)率耗散系。
随着技术的飞速发展，商业、工业及汽车等领域对耐高温集成电路（IC）的需求持续攀升。高温环境会严重制约集成电路的性能、可靠性和安全性，亟需通过创新技术手段攻克相关技术难题。 本文引用地址： 这份白皮书致力于探讨高温对集成电路的影响，并提供适用于高功率的设计技术以应对这些挑战。我们陆续介绍了这些干货知识：工作温度，包括环境温度和结温等 。高结温带(dài)来(lái)的(de)挑(tiāo)战(zhàn) 。 IC的(de)高(gāo)温(wēn)设(shè)计(jì)原(yuán)则(zé) 。本(běn)文将(jiāng)继(jì)续(xù)介(jiè)绍(shào)高(gāo)温(wēn)设(shè)计(jì)的(de)优(yōu)势(shì)。 高(gāo)温(wēn)设(shè)计(jì)的(de)优(yōu)势(shì) 能(néng)够(gòu)在(zài)高(gāo)温(wēn)下(xià)工(gōng)作(zuò)的(de)集成(chéng)电(diàn)路具(jù)有(yǒu)多(duō)种(zhǒng)优(yōu)势(shì)。
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