（来源：纪要头等座）
AI芯片功率跃升下的价值重估
Q: 三次电源在AI服务器供电系统中的定义与核心功能是什么？
A: 三次电源是AI服务器供电逐级降压过程中的最后一级，负责将12伏或6伏电压转换为0.8至1.8伏的低压大电流，直接为GPU、CPU、ASIC等芯片供电。其物理位置紧邻芯片，典型形态包括VRM、power block或VPD模块，核心零部件涵盖DrMOS、电感、电容等，需应对AI芯片负载的快速变化。
Q: 三次电源当前面临的主要技术约束有哪些？
A: 三次电源面临四大核心约束：电流增大导致线路损耗呈平方级放大；散热压力显著增加；主板空间有限使器件布局拥挤；高瞬态响应要求下需严格控制电压跌落幅度不超过5%，以避免影响芯片正常工作。
Q: 三次电源领域的主要技术演进路线包括哪些方向？
A: 主要技术路线包括：多项并联拓扑，通过多项DrMOS并联分担电流、降低纹波并提升动态响应，但器件数量多、成本高；TLVR电感技术利用相位间耦合提升动态性能、减少输出电容需求，但对电感一致性与控制算法要求高；模块化方案分为定制大模块与标准小模块，可缩短设计周期、降低导入门槛，但成本较高；VPD方案将电源模块置于芯片背面，缩短供电路径、降低损耗并释放正面空间，但对模块高度、散热及磁性器件设计要求严苛；远期技术方向为IVR，将电压调节功能集成至封装基板或芯片内部，供电路径更短、损耗更低，但需芯片厂商与封装厂协同设计。
Q: VPD供电方案的具体实现方式与技术特点是什么？
A: VPD方案将电源模块置于芯片背面及正下方，使电流穿过PCB为芯片供电，核心优势在于缩短低压大电流传输路径、降低线路阻抗与损耗，并释放芯片正面空间。该方案对模块高度、散热能力及磁性器件布局提出较高要求。远期IVR方案进一步将电压调节功能集成至封装或芯片内部，路径更短、损耗更低，但需芯片与封装环节深度协同。
Q: 三次电源升级对DrMOS、电感、电容、PCB等核心元器件的具体影响是什么？
A: 升级推动核心元器件量价齐升：DrMOS供电相数从8–16相增至50–80相，产品向更高耐流、更高频、更低损耗演进，ASP提升，目前由MPS、英飞凌主导；电感向金属软磁一体成型方向升级以应对高频需求，国内铂科、龙磁已实现国产化；MLCC用量较传统服务器提升十几至二十倍，主因瞬态负载波动剧烈需强化稳压，硅电容作为高频去耦补充部署于封装附近；PCB需高铜厚、高散热、高阶HDI甚至3D结构，技术壁垒最高，且向埋嵌式电感/电容发展以提升功率密度、缩短连接距离、降低寄生参数，深南电路、中富电路已切入北美核心供应链。
Q: 三次电源产业链中各环节的重点公司及竞争格局如何？
A: 芯片侧由MPS、英飞凌主导，瑞萨、TI等跟进，国内杰华特、芯洲科技处于测试导入阶段；模组侧台达、伟创力在定制大模块领域份额领先，MPS、英飞凌等提供标准模块，立讯精密已进入谷歌、Meta供应链但尚未放量；被动元件中MLCC被村田、三星、TDK等日韩厂商垄断，电感由台达旗下乾坤主导，国内铂科、龙磁在金属软磁电感领域进展显著；PCB环节深南电路、中富电路已为台达、MPS等核心供应商提供三次电源PCB，并间接进入Meta、谷歌等终端客户供应链。
Q: 针对三次电源领域的投资主线与重点标的有哪些？
A: 投资主线分为两条：一是关注已进入北美供应链并随行业放量的环节，如PCB和电感；二是关注国产替代机会，如DrMOS和MLCC。模块环节中，立讯精密是大陆唯一较快进入北美供应链的公司，但电源业务占比较小。核心逻辑源于AI芯片单芯片功耗加速提升，供电环节可能成为算力释放的瓶颈，客户重视度持续提高。
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